Micron Technology сообщила о том, что начала изготовление двухслойной памяти вида 3D NAND 2-го поколения в фабричном комплексе Fab 10X в Сингапуре. Свежий вид памяти позволит Micron закрепить позиции на рынке твердотельных накопителей, и несколько понизить себестоимость энергонезависимой памяти. Кроме остального, выпуск 2-го поколения 3D NAND приведёт к повышению ёмкости накопителей Micron, Crucial, и их партнёканал.

Штаб Micron

Свежие вызовы

В процессе встречи и телеконференции с инвесторами и денежными специалистами в данном месяце Micron доказала, что начала многочисленное производство 3D NAND флеш-памяти с 64 пластами в производственном комплексе Fab 10X в Сингапуре в четвёртом месяце этого календарного года, что отвечает объявленным раньше срокам. Сам анонс обозначает как внедрение в строй новой производства, так и наступающее значительное повышение изготовления NAND флеш-памяти организацией Micron: как за счёт повышения числа обрабатываемых кремниевых пластинок с аналогичными микросхемами, так и за счёт повышения ёмкости заключительных. Также, сам анонс глобального изготовления энергонезависимой памяти с 64 серьезными пластами считается важным, так как обозначает, что компании удалось решить ряд технологических неприятностей, которые появляются при разработке 3D NAND c 60 ~ 70 пластами.

3D NAND подготовки Micron/IMFT 2-го поколения: проекты по понижению себестоимости

Эр-Сюань Пин (Er-Xuan Ping), главный директор подразделения памяти и технологий в Silicon Systems Group компании Applied Materials, полагает, что нынешние технологии травления (high aspect ratio etch) отверстий в большом число слоёв (которые отвечают за линии чисел — ворд lines), чтобы потом сделать линии разрядов (bit line, в терминологии 3D NAND — NAND string), имеют ряд ограничений. Эти ограничения не дают возможность морить окна в случае, когда число слоёв превосходит 60 ~ 70. Так что, для образования 3D NAND с 64 серьезными пластами ожидается использовать технологию отвесного стекирования полос разрядов (string stacking). На самом деле, это значит установку готовых 3D NAND-изделий друг на дружку с дальнейшим межчиповым объединением, что позволит контроллеру «лицезреть» 2 устройства как одну микросхему и распоряжаться ею аналогичным стилем. Такое соединение представляет из себя очень трудный процесс, так как пластинки с микросхемами должны быть отлично выровнены. Превосходства такого процесса также явны: он дает возможность формировать NAND-сборки с сотнями слоёв и большой ёмкостью.

«Это ограничение», — заявил г-н Пин. «Любая черта разрядов урезана числом слоёв либо иными шагами технического процесса».

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате производства IMFT

Micron не единственная организация, которая сообщила о многочисленном изготовлении микросхем NAND флеш-памяти с 64 пластами. «Самсунг» и Toshiba/Western Диджитал также спроектировали собственные 64-слойные устройства. Интересно, что ни одна из трёх организаций не упомянула о string stacking в собственных анонсах аналогичных микросхем. В области идут некоторые слухи, что Micron показывала 64-слойный 3D NAND чипсет с соединёнными чертами разрядов определенным собственным партнёрам, однако официально организация об этом никогда в жизни не заявляла. Весьма вполне может быть, что Micron и её соперники обнаружили метод травления глубочайших отверстий с применением имеющегося оснащения либо просто приняли решение не затрагивать характеристики изготовления в собственных формальных бумагах.

Свежие виды

Нужно сообщить, что 64-слойное происхождение 3D NAND флеш-памяти будет не только лишь значительным тестированием с позиции изготовления, но также и почти во всем раскроет свежие горизонты. Все дело в том, что ёмкость подобных микросхем гарантирует быть весьма повышенной, причём проекты Micron (и IMFT) тут наиболее амбициозны (организация имеет огромную эластичность в сфере повышения ёмкости микросхем благодаря расположению логичным цепей микросхем под самой памятью, что сберегает площадь ядра): любая 3D TLC NAND-микросхема 2-го поколения компании будет иметь ёмкость 768 Гбит (96 Гигабайт).

SSD на основе 3D NAND

Официально Micron пока не объявляла микросхемы памяти 3D NAND 2-го поколения, поэтому мы не владеем всей полнотой информации о них. Все-таки, организация открыла главные характеристики чипов. Прежде всего, на IEEE International Solid-State Circuits Conference в январе Micron обрисовала микросхему 3D TLC NAND ёмкостью 768 Гбит. Во-вторых, на 34-й пресс-конференции NASDAQ для трейдеров в начале июня коммерческий директор компании сообщил, что микросхемы 3D NAND 2-го поколения повысят в два раза ёмкость сравнивая с чипами первой генерации (т. е. с 384 Гбит до 768 Гбит). В-третьих, в данном месяце Micron доказала содержание 64 серьезных слоёв в собственной памяти 3D NAND 2-го поколения. В компании рассчитывают, что повышение ёмкости микросхем позволит Micron понизить себестоимость изготовления одного бита NAND флеш-памяти на 30 %.

Трехкратное повышение ёмкости 3D TLC NAND-микросхем до 768 Гбит может позволить Micron применять такие чипсеты в MLC-конфигурации ёмкостью 512 Гбит (тем не менее, сама Micron про это никогда в жизни не заявляла). В то же время существенное повышение ёмкости имеет как преимущества, так и недостатки. С одной стороны, они позволяют формировать устройства сохранения данных большой ёмкости в малых форм-факторах (к примеру, однобокий модуль М.2 ёмкостью 3 Тбайт). С иной стороны, SSD незначительного объёма будут иметь очень невысокую мощность из-за неимения параллелизма при чтении и записи. В истории с первым поколением 3D NAND компании Micron понадобилось отказаться от накопителей ёмкостью 120/128 Гигабайт как раз из-за вероятно невысокой мощности заключительных. Может произойти, что в 2016 году компании придётся отказаться от производства накопителей класса 240/256 Гигабайт. Также, конкретное увеличение ёмкости может отразиться на уровне исхода пригодных и стоимости.

SSD изготовления Micron/Crucial

В отличии от Micron, её соперники официально объявили собственные 64-слойные 3D NAND-микросхемы. Так, «Самсунг» сообщила о проектах начать изготовление собственных 64-слойных V-NAND четвёртого поколения в последнем месяце 2016 года. Свежие чипсеты будут иметь трёхбитовую ячейку (TLC), ёмкость 512 Гбит (судя по всему, MLC буду производиться в качестве автономных микросхем либо иметь наименьшую ёмкость). Как только «Самсунг» протестирует V-NAND четвёртого поколения на различного рода картах памяти и прочих съёменьших накопителях, она будет применена для изготовления SSD в 2017 году.

Что же касается Toshiba/Western Диджитал, то они поставляют собственную 64-слойную BiCS NAND 3-го поколения определенным собственным заказчикам несколько лет. И более того, первая продукция на информационной базе микросхем (съёменьшие накопители) должна выйти со сборочного потока в четвёртом месяце. Toshiba и Western Диджитал очень щекотливо подходят к повышению ёмкости собственных чипов NAND, поэтому первоначально BiCS3 будет поставляться в конфигурации TLC с ёмкостью 256 Гбит, однако в будущем ёмкость будет поднята до 512 Гбит. Нужно отметить, что Western Диджитал полагает вероятным применять 64-слойную BiCS 3D NAND в твердотельных накопителях. Так что, в 2017 году мир, в конце концов, заметит SSD на основе 3D NAND под коммерческими марками Toshiba и Western Диджитал.