Компании SK Hynix и Toshiba сообщили о свежих достоинствах в подготовке магниторезистивной памяти (MRAM). Информация в MRAM находится с помощью магнитных факторов, а не спортивных зарядов. Магнитные детали сформированы из 2-ух ферромагнитных слоёв, разделённых узким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет из себя непрерывный феррит, намагниченный в определённом направлении, но намагниченность иного пласта меняется под […]