Компании SK Hynix и Toshiba сообщили о свежих достоинствах в подготовке магниторезистивной памяти (MRAM).

Информация в MRAM находится с помощью магнитных факторов, а не спортивных зарядов. Магнитные детали сформированы из 2-ух ферромагнитных слоёв, разделённых узким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет из себя непрерывный феррит, намагниченный в определённом направлении, но намагниченность иного пласта меняется под действием внутреннего поля.

SK Hynix и Toshiba используют технологию STT-MRAM — Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory. Она применяет «перевод поясница» для перезаписи ячей памяти. Этот эффект дает возможность снизить величину тока, нужную для записи информации в ячейку.

Модуль памяти STT-MRAM, сделанный экспертами SK Hynix и Toshiba, имеет ёмкость 4 Гбит. Он состоит из 8 блоков объёбог 512 Mbit любой. Изделие владеет энергонезависимостью, малым временем доступа и повышенной скоростью передачи данных.

Подробнее о решении компании поведают на событии ISSCC 2017, которое пройдёт в январе. Вывести подготовку на торговый рынок SK Hynix и Toshiba рассчитывают на протяжении 2-ух–трёх лет.