Сейчас компании-производители микроэлектроники, такие как Intel, «Самсунг» и TSMC, изучили технические процессы с объемом транзистора менее 20 hm и не только лишь серьезно подобрались к препятствию 10 hm, но также и вовсю стараются попасть за него. Все-таки, применение современных технологий класса 14/16-нм FinFET доступно лишь большим изготовителям электроники, но клиенты с большим масштабом изготовления и хотели бы пользоваться всеми достоинствами узких техпроцессов, не могут из-за повышенной себестоимости подготовки и изготовления подобных чипов.

Транзисторы FD-SOI легче стандартных планарных

Выход из тупика есть: это система FD-SOI с объемом элемента 12 hm. Разработка и изготовление с применением техпроцессов класса FD-SOI значительно выгоднее, однако главные превосходства FinFET — невысокое усилие питания и большая бережливость — эта система сохраняет. Это прекрасно осознает соперник TSMC, организация GlobalFoundries, вложившая средства в подготовку техпроцесса 12FDX (не менее современная модификация 22FDX). Этот вариант 12-нм FD-SOI применяется такими фирмами, как Сони и NXP, и день от дня перечень «почитателей» этого техпроцесса растет, прирастая такими именами, как Everspin, QuickLogic и прочими. Конечно, TSMC не желает утрачивать возможных заказчиков без поединка, давая их GlobalFoundries.

Относительные характеристики FD-SOI и FinFET

По имеющимся в настоящее время данным, организация трудится над созданием замены техпроцессу GlobalFoundries, 12-нанометрового процесса FinFET, который будет эволюцией изученной технологии 16-нм FinFET. Проектируемый процесс берёт своё начало в 16-нм версии FFC (FinFET Compact), но данная модификация формировалась специально для изготовления микрочипов, популярных изготовителями мобильных телефонов. Она оптимизирована для понижения стоимости и повышения экономичности конечных механизмов. Процесс FFC первоначально мог представлять собой четвёртое происхождение 16-нм действий TSMC, однако было принято решение выпустить его в роли автономной технологии. 12-нанометровый вариант FFC будет подходящим в 2018 году, на год позднее традиционного 10-нм FinFET. Данная система будет пробелом в мир FinFET для тех, кому такие чипсеты раньше были не по карману