Первые платные твердотельные накопители, сформированные на не так давно анонсированной энергонезависимой памяти 3D XPoint, ещё не возникла на рынке, однако компании Intel и Micron Technology работают над 2-м поколением памяти этого вида. Также, Micron разрабатывает целиком свежую технологию, которая гарантирует уменьшить разницу в мощности между спортивной памятью с случайным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и энергонезависимой памятью.

Компания Micron Technology сообщила на Intel Developer Forum раньше в данном месяце, что ведёт подготовку 2-го поколения 3D XPoint, 2-го поколения двухслойной трёхмерной NAND флеш-памяти (3D NAND), и некоего важно нового вида памяти, детали о котором не открываются. Micron работает с Intel в разработке 3D XPoint и 3D NAND, не понятно, работают ли компании совместно и над новой технологией, знаменитой как New Memory B Gen 1 (новая память «Б» первой генерации).

Многообещающий план Micron в сфере подготовки свежих технологий компьютерной памяти

Третье поколение памяти 3D XPoint будет показано в 2016 году, как и третье поколение 3D NAND. Предполагается, что свежий вид памяти «Б» будет представлен в 2017 году.

Расхождения между первым и 2-м поколениями 3D XPoint не известны. Первая реализация 3D XPoint гарантирует быть в сотни либо тысячи раз стремительней стандартной NAND флеш-памяти с позиции скорости доступа к данным (латентности) и скоростей записи и чтения. Также, 3D XPoint владеет не менее долгим сроком эксплуатации сравнивая с NAND благодаря большей износоустойчивости её ячей памяти. Все-таки, одна из вещей, где NAND опережает свежий вид памяти — это ёмкость. Сегодняшнее NAND-устройство может держать 256 Гбит данных, в то время как первые микросхемы 3D XPoint будут иметь ёмкость в 128 Гбит. Вполне вероятно, что в случае со 2-м поколением создатели сконцентрируются на повышении насыщенности записи, а не на значительном повышении мощности (тем не менее, при повышении насыщенности увеличится и мощность). Не менее большие ёмкости чипов 3D XPoint помогут сделать накопители на их основе выгоднее в пересчёте на килобайт данных, что увеличит их возможности на рынке.

3D XPoint: Между DRAM и NAND

Впрочем 3D XPoint стремительней, чем NAND, DRAM намного опережает свежий вид памяти по части скорости доступа и ощутимо опережает по части пропускной возможности. В Micron полагают, что скрытность энергонезависимой памяти — серьёзный вызов для всех видов свежих технологий памяти.

Скотт Грэм (Scott Graham), ведущий консультант подразделения Micron, занимающегося подготовкой смешанных видов памяти, сообщил на IDF, что основной особой отличительной чертой New Memory B gen 1 будет повышенная мощность сравнивая с 3D XPoint. Новая память «Б» первой генерации относится к появляющемуся классу памяти накопителей (сторидж class memory), который соединяет внутри себя хорошую насыщенность записи, энергонезависимость и мощность. По всей видимости, свежий вид уменьшит разрыв в мощности энергонезависимой памяти с DRAM, что сможет помочь решать свежие вызовы в промышленности.

«По мере того, как мы разрабатываем свежие технологии памяти и обучаемся на 3D XPoint, мы принимаем вероятность развивать 3D XPoint далее», — заявил г-н Грэм в процессе демонстрации. «В дальнейшем мы предположим дальнейшие версии данной технологии и прочие технологии, которые способны вписаться в наш многообещающий план [для решения вызовов индустрии]».

Micron, как предполагается, представит собственные продукты на базе первой генерации 3D XPoint в обозримые пару лет и начнёт их поставки в 2016 г. Третье поколение 3D XPoint будет анонсировано в 2016 году, однако попадёт на рынок только в 2017-м. Про память New Memory B Gen 1 известно очень недостаточно, однако, если она будет официально показана в 2017 г., то её возникновение на рынке в качестве платных механизмов можно ждать где-то в 2018–2019 гг.. Принимая во внимание, что новая память «Б» первой генерации будет владеть повышенной мощностью, для её коммерциализации понадобится образование и введение свежих интерфейсов передачи данных, что может «отложить» её общее применение на 2019–2020 годы.

Память накопителей: возможности и вызовы

Непорочный Грааль компьютерной памяти — энергонезависимая память с мощностью и надёжностью DRAM. Такой вид памяти едва ли поступит в продажу в скором времени, поскольку вне зависимости от того, так быстро развивается энергонезависимая память, DRAM не стоит на месте. Тем не менее, вероятно, произойдет волшебство и в обозримые годы мы увидим рывок в обозначенном направлении…