Коммерческий директор компании Micron Technology в процессе встречи с денежными специалистами провел ряд значительных заявлений, касающихся передвижения изготовления компании на флеш-память вида 3D NAND. Чуть раньше выпуск организацией 3D NAND превзошел выпуск классической планарной (2D) NAND в пересчёте на бит. При этом себестоимость 3D NAND первой генерации в пересчёте на бит располагается на предстоящих уровнях.

Рубикон перейдён

Эрни Мэддок (Ernie Maddock), коммерческий директор Micron, на встрече со специалистами на пресс-конференции Barclays Technology Conference сообщил, что организация добилась точки, когда она делает больше флеш-памяти вида 3D NAND (в пересчёте на бит), чем флеш-памяти вида 2D NAND. Повысить изготовление энергонезависимой памяти 3D NAND с позиции совместной ёмкости всех микросхем сравнительно нетрудно, так как любая схема 3D NAND флеш-памяти c трёхбитовой ячейкой (3D TLC NAND) может держать до 384 Гбит данных, в то время как микросхемы 2D NAND с двухбитовой и трёхбитовой ячеями могут держать только по 128 Гбит данных (есть в виду микросхемы спроектированные Micron/IMFT). Так что, как только число обрабатываемых кремниевых пластинок и выход пригодных достигают определённого значения, совместная ёмкость выпускаемой 3D NAND начинает превосходить совместную ёмкость 2D NAND.

Главные превосходства Micron 3D NAND

Впрочем вопрос балансировки производства смотрится элементарным на бумаге, он не классифицируется таким в реальности. Все дело в том, что технические процессы изготовления 2D и 3D NAND сильно отличаются. Изготовление современной планарной NAND флеш-памяти надеется на фотолитографию с неоднократным экспонированием, но для прохода на не менее узкий процесс требуется пройти на не менее современные сканеры (сложная, однако известная изготовителям процедура). Производство двухслойной 3D NAND надеется на покрытие (выпадение) и протравка: прежде всего, на кремниевую пластинку требуется принести большое количество узких слоёв (процесс именуется alternating stack deposition), чтобы сделать линии чисел (ворд line); во-вторых, необходимо протравить в них миллиарды отверстий (процесс имеет наименование high aspect ratio etch), чтобы потом сделать линии разрядов (bit line). Для нанесения слоёв используют способ синтетического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и аналогичное оснащение. Для травления отверстий применяют синтетические вещества (и, стало быть, другие приборы), а потом устраняют не нужный источник. Конечно, фотолитография при производстве 3D NAND никуда не пропадает, но время её применения значительно сокращается (и в том числе из-за неимения потребности в неоднократном экспонировании) как в безусловных, так и в сравнительных значениях. Так что, для изготовления 3D NAND в аккуратные комнаты заводов необходимо установить особые CVD-машины, устройства для травления отверстий, и другой инструментарий. Является, что дополнительное оснащение повышает условия к площадкам аккуратных комнат в 2, а может быть вчетверо, сравнивая с тем, которое требуется для обработки подобного числа пластинок с 2D NAND.

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Технолоджис)

Принимая во внимание потребность установки специального оснащения и увеличившиеся условия к площади аккуратных комнат, логично, что начать изготовление 3D NAND на фабрике, которая производит 2D NAND, не так просто. Обладателям заводов нужно задержать работу комплекса, установить свежие устройства (и разбирать старые, место в аккуратных комнатах ценно), настроить оснащение и только потом начинать изготовление. Учитывая тот факт, что Micron начала многочисленное изготовление памяти 3D NAND приблизительно в самом начале 2016 года, оперативное повышение объёмов изготовления смотрится впечатляюще, учитывая все проблемы. Все-таки, принимая во внимание увеличившуюся втрое (сравнительно 2D NAND) ёмкость любой микросхемы, оперативное повышение ёмкости всего объёма выпускаемых накопленных моделей было ожидаемо.

Новая политика

По мере того, как Micron переводит собственные производственные производительности на производство 3D NAND, организация также реализует собственную свежую стратегию, по которой её основной продукцией делаются конечные устройства, а не прямо память. Эта политика была озвучена в самом начале 2015 года, однако её настоящее введение стартовало только не так давно.

SSD на основе Micron 3D NAND

Сейчас Micron сворачивает изготовление 2D NAND и увеличивает производство 3D NAND, при этом понижает объёмы памяти, отправляемые 3-им фирмам. Так, по определенным данным, некоторые покупатели Micron в настоящее время должны приобретать планарную NAND флеш-память у Toshiba, так как североамериканская организация не менее не в состоянии снабдить их нужными микросхемами. И более того, Micron поставляет 3D NAND только собственному давнишнему партнёru, компании ADATA. Последнее считается индикатором того, что Micron значительно сворачивает своё наличие на спотовом и договорном рынках памяти. Это далеко не обозначает, что Micron никогда в жизни не менее не реализует микросхем NAND посторонним фирмам, наконец, главной задачей любого платного предприятия считаются извлечение прибыли. Все-таки, едва ли множество изготовителей SSD сумеют применять память Micron в дальнейшем.

Последствием незаметной реализации Micron новой бизнес-стратегии, и того прецедента, что Toshiba/Western Диджитал и SK Hynix в настоящее время не поставляют посторонним организация 3D NAND-память для SSD, считается тот факт, что ADATA оказывается одним свободным изготовителем твердотельных накопителей, имеющий с своём роде продукции SSD на основе 3D NAND. Конечно, это едва ли продлится продолжительное время, так как Toshiba/Western Диджитал поставляют подходящую для SSD память BiCS 3-го поколения собственным партнёрам, но в настоящее время у ADATA есть некоторое превосходство перед соперниками.

Себестоимость 3D NAND отвечает ожиданиям

В процессе перечисленной пресс-конференции коммерческий директор Micron также заметил, что себестоимость памяти 3D NAND первой генерации в пересчёте на бит отвечает начальным выводам компании: она на 20–25 % ниже сравнивая с себестоимостью планарной NAND флеш-памяти, выпускаемой по технологии 16 hm.

Кремниевая полоса с NAND флеш-памятью Micron/IMFT

Когда речь заходит о себестоимости, то предоставить какие-нибудь оценки высказываниям влиятельных работников не так просто. Так как техпроцессы для изготовления планарной и двухслойной NAND флеш-памяти абсолютно отличны, то и себестоимость 128-Гбит 2D NAND и 384-Гбит 3D NAND-микросхем должна различаться, не смотря на схожую площадь ядра (173 миллиметров² и 168,5 миллиметров²) и при одинаковом проценте исхода пригодных. При этом последнее практически невозможно просто из-за того, что Micron только начинает обучаться широко выполнять 3D NAND и вряд ли % исхода пригодных микросхем на самом деле высок (тем не менее, такие числа строго засекречены). Все-таки, значительно отличная ёмкость микросхем 3D NAND подготовки Micron/IMFT в некоторой степени дают возможность возмещать вероятный сравнительно низкий выход пригодных кристаллов. В итоге, если себестоимость 3D NAND в пересчёте на бит ниже себестоимости 2D NAND и Micron приобретает от реализации такой памяти прибыль, это всё, что имеет значение для компании и её трейдеров.

Твердотельный накопитель Crucial MX

Что имеет значение для клиентов, так это стоимость конечных изделий — твердотельных накопителей и другой продукции на основе NAND флеш-памяти. По определенным источникам, в заключительные месяцы Micron спортивно продвигала семейство SSD MX300 в разные телеканалы реализаций. Последнее непрямо доказывает, что объёмы изготовления 3D NAND располагаются на высочайшем уровне. Также, если посмотреть на стоимость накопителей Crucial MX300 525 Гигабайт и «Самсунг» 850 EVO 500 Гигабайт в распространенном супермаркете Amazon, то существенно не только лишь то, что продукт Micron выгоднее ($130 против $170), но также и то, что MX300 не подорожал в заключительные месяцы. По всей видимости, себестоимость данных накопителей располагается на удобном для Micron уровне, и организация имеет возможность позволить себе повышать их реализации без риска потерпеть потери.

Расценки на накопители Crucial MX300 525 Гигабайт. График веб-сайта CamelCamelCamel.com

Расценки на накопители «Самсунг» 850 EVO 500 Гигабайт. График веб-сайта CamelCamelCamel.com

Необходимо отметить, что Micron нужно стать спортивной на рынке SSD, чтобы в будущем пройти от реализации материала (микросхем) к реализации механизмов. За прошедшие несколько кварталов часть Micron на рынке твердотельных накопителей снизилась с 7,1 % в I квартале 2015 года до 3,9 % во 2-м квартале 2016 года (данные TrendFocus). При этом, невзирая на вездесущий рост реализаций SSD, поставки накопителей Micron снизились с 1,65 млрд штук до 1,25 млрд штук в квартал.

По всей видимости, Micron делает серьёзное нападение на рынок с помощью накопителей MX300 на основе 3D NAND. При этом автономной сильной вестью для компании считается неимение в ряду моделей MX300 механизмов ёмкостью 120/128 Гигабайт, что ликвидирует активное участие Micron в расценочных войнах с поставщиками наиболее дешёвых SSD.