В 2016 году 3D NAND будет преобладающей технологией на рынке флеш-памяти. Про это рассказывает издание Computerworld ссылаясь на вывод специалистов DRAMeXchange.
Они ждут, что в 2017 году часть планарной (2D) NAND-продукции укатёт ниже 50 % от суммарной вместительности произведенных чипов флеш-памяти. Огромная часть поставок придётся на трёхмерные массивы, которые к концу этого года займут приблизительно 30 % рынка с позиции ёмкости, полагает генеральный директор по изысканиям DRAMeXchange Шон Ян (Sean Yang).
Главными плюсами 3D NAND над классической двухмерной памятью считаются отличная насыщенность сохранения, повышенная скорость передачи данных и сокращенные траты на изготовление.
Сейчас очень многие изготовители памяти сконцентрировались на следующем поколении 3D NAND — с 64 пластами ячей сохранения данных. Western Диджитал начала тестовое изготовление подобных решений и рассчитывает выходить на стоковый уровень в 1-й половине 2017 года.
Micron гарантирует приступить к групповому изготовлению 64-слойной памяти 3D NAND к концу 2016 года. В то же время Nikkei рассказывает, что SK Hynix производит такую продукцию, и в настоящее время организация рассчитывает организовать выпуск 72-слойной памяти 3D NAND.