В какой-нибудь мере переход на изготовление двухслойной памяти 3D NAND стал принужденным шагом. Ячея NAND-флеш при понижении масштаба изготовления до общепризнанных мерок менее 10 hm больше не могла стабильно сохранять вписанные данные. Количество электронов в ячее обнаруживалось мало, чтобы отличить заряд от гула. В то же время требовалось понижать себестоимость изготовления флеш-памяти, а делать это за счёт повышения насыщенности записи (снижая площадь кристалла) выяснилось экономически нерентабельно. Из-за этого после изучения 15/16-нм техпроцессов изготовления флеш-памяти изготовители начали приумножать количество слоёв в микросхемах. Надо размышлять, что это одновременно понизит себестоимость решений и оперативно удешевит SSD. Однако это далеко не так.

Как сознались в компании «Самсунг» в процессе презентации 3-го поколения памяти 3D V-NAND, себестоимость имеющих несколько слоев микросхем спустилась ниже себестоимости планарной флеш-памяти лишь годом ранее. Практически «Самсунг» говорит о том, что с весны 2013 года по лето 2014 года она реализовывала SSD серии 850 EVO на памяти 3D V-NAND себе в урон. При этом за всё время производства 3D V-NAND организация воплотила 5 млрд SSD на памяти 3D V-NAND. Это внушительная цифра. Можно с полной уверенностью сообщить, что организация занесла собственную монету в дело понижения расценок на твердотельные накопители и подвигла к началу изучения изготовления 3D NAND соперников. Было ли это просто? Вовсе.

По словам специалиста компании MKW Ventures Марка Уэбба (Mark K. Webb), при изготовлении 3D V-NAND в дефект уходит до половины чипов с каждой обработанной пластинки. Хорошим уровнем брака для глобального изготовления полупроводников является 5–8 %. Уровень брака в 50 % — это большая стоимость утилитарного внедрения новой технологии, а «Самсунг» производит 3D V-NAND 2 года подряд. Также надо сказать, что стоимость обработки пластинки с памятью 3D V-NAND приблизительно на 70 % выше стоимости обработки пластинки с планарной флеш-памятью. Повышение числа слоёв с 32 до 48 (в случае компании «Самсунг») сделает обработку дешевле ещё на 5–10 %, впрочем рост ёмкости в два раза (со 128 Гбит до 256 Гбит) нивелирует прирост и в общем понизит себестоимость 3D V-NAND по отношению к расценкам на планарную память.

На фоне вышесказанного логично, что соперники не торопились терять большие источники на переход к производству двухслойной памяти, впрочем в конечном итоге им также придётся этим заниматься. Общие старания многих организаций принесут больше плодов, однако едва ли мы почувствуем эффект в следующем году либо 2. К 2020 году изготовители рассчитывают изучить изготовление 100–200-слойных микросхем. Может быть, к данному времени терабайтные SSD будут по карману большой аудитории.