В последние годы самым популярным трендом в области памяти считается 3D-технология, которая позволяет в малогабаритном формате вместить ещё больше данных и при этом достичь повышенной мощности. Заключительным ослепительным образцом считается выпуск организацией «Самсунг» чипов 3D V-NAND, которые владеют ёмкостью 256 Гбит, что сделало возможным сделать 16-Тбайт SSD. Однако ученые продолжают находить свежие методы сделать лучше накопители. Бригада доктора Джеймса Экскурсионного тура (Jimmie Tour) из Института Райса соединила новейшую архитектуру, процесс, способный проходить при комнатной температуре, и высокоплотный фоторезистивный 3D-стек элементов для образования энергонезависимой памяти RRAM.

EE Times

Как сообщают создатели, представленное устройство опережает конкурентоспособные решения по мощности и ёмкости. Главным в новинке считается особая конструкция, которая гарантирует сверхмалые флюиды утечки. При этом возникает вероятность формировать массивы ёмкостью до 162 Гбит (либо около 20 Гигабайт). Двухслойный магазин включает железный контакт (платинный в макете) поверху изолирующего пласта двуокиси кремния, который, к тому же, укладывается на обычную кремниевую пластинку. Сам железный контакт накрывается аккуратным танталом с нанопористым слоем окиси тантала поверху него. Ещё двадцать атомных слоёв графена (так именуемый двухслойный графен, MLG) располагаются снизу окиси тантала, а заканчивает данный магазин ещё 1 железный антикатод (платинный, однако ученые рассказывают, что вероятны опыты с различными сплавами).

EE Times

По создателям, на пути к коммерциализации находятся ещё 2 серьёзных барьера. Прежде всего, ученым предстоит обучиться распоряжаться габаритами микрочастиц. Также, нужно спроектировать хороший по действенности промышленный способ для образования настолько крепкого массива памяти.