81f720a5

IDF 2015: Intel объявила продукты на основе 3D XPoint

3D XPoint — общая разработка Intel и Micron — представляет из себя энергонезавиcимую память, по принципу действия абсолютно прекрасную от доминирующей сегодня NAND Flash-памяти. Тогда как NAND Flash для сохранения информации применяет электроны, взятые в затворе транзистора, ячея 3D XPoint меняет противодействие для различения между нулем и единицей. За счет того, что ячея не имеет транзистора, насыщенность сохранения данных в памяти нового вида в 10 раз превосходит аналогичный уровень NAND Flash. Доступ к персональной ячее гарантирует соединение некоторых усилий на пересекающихся чертах проводников (отсюда наименование XPoint, которое выговаривается как cross-point). Ячеи в кристалле памяти размещены во много оболочек (в нынешнем виде лишь 2), потому в имени технологии находится аббревиатура 3D. 

Теоретически память 3D XPoint может добиться в 1000 раз большей пропускной возможности сравнивая с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что может память DDR4 SDRAM, однако вполне сносно для того, чтобы применять 3D XPoint в модулях материнской платы. Модули DIMM на базе 3D XPoint гарантируют больший объём и невысокие расценки сравнительно DDR4 DIMM.

В 2016 году Intel представит большую серию механизмов на основе памяти нового вида под коммерческой моделью Optane. Это будут SSD для покрышки PCIe разного форм-фактора — карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с слотом U.2, малогабаритные планки для компьютеров (М.2). Чипсеты памяти будет выполнять организация Micron по норме 20 hm.

На представлении гендиректора Intel Брайана Кржанича (Brian Krzanich) нам показали рабочий образец Optane в качестве карты расширения PCIe. По числу операций за секунду устройство в 5–7 раз опережает накопитель коллективного класса Intel SSD DC P3700. Настолько большая мощность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу. Также, 3D XPoint владеет не менее инвариантной мощность при чтении и записи за счет того, что процедуры двух видов выполняются в блоках, аналогичных высоте покрышки памяти — в отличии от памяти NAND Flash, которая предполагает запись большими «страничками» (вплоть до 16 Кб).

Кроме устойств ПЗУ, в серию Optane зайдут модули DIMM для компьютеров на базе Xeon. Заключительные будут целиком совместимы с внешним видом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки двух видов будет можно вместе применять в одной системе.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий