В эти дни Высший Трибунал Тайваня поддерживал решение трибунала 2-й инстанции о запрете работать в компании «Самсунг» некоему гражданину Лян Мон-Сону (Liang Mong-song). Этот гражданин, как легко понять, не нормальный работник, раз его судьбой занялся трибунал первой инстанции. Трибунал 2-й инстанции раньше вынес запрет на работу Лян Мон-Сона в компании «Самсунг» до 31 января 2015 года. Причина запрета скрывается в том, что организация TSMC выдвигает обвинение Лян Мон-Сона в индустриальном шпионаже в пользу «Самсунг».

До работы в компании «Самсунг» судимый работал главным директором экспериментального подразделения компании TSMC, где занимался подготовкой техпроцессов. Как раз его работа сделала возможным тайваньской компании организовать выпуск 16-нм решений с FinFET транзисторами. В 2011 году Лян Мон-Сон перешёл на работу в организацию «Самсунг» на пост технологического начальника подразделения по производству цифровой логики, и обрел обязанность учителя в одном из институтов Северной Кореи, спонсором которого считается организация «Самсунг».

Если верить нареканию, абитуриенты нового доктора все как 1 были «ветеранами «Самсунг»». Практически эксперт из TSMC отдавал собственные познания инженерам соперничающей компании вообще не обязательно, что не распадался с ними определёнными аспектами, выяснить которые можно лишь после долголетних исследовательских работ.

Относительные объемы стандартных частей ведущих организаций в близких техпроцессах

Также по просьбе трибунала 2-й инстанции посторонние эксперты провели тест 14-нм FinFET полупроводников «Самсунг» и 16-нм FinFET продукции TSMC, и обнаружили их «очень похожими». Как сообщают в TSMC, с 45- до 28-нм техпроцесса решения «Самсунг» оказывались всё не менее похожими на решения TSMC. Разница между 16-нм и 14-нм полупроводниками соперников вообще малозаметна. Всё это дает возможность компании TSMC настаивать, что «Самсунг» спроектировала 14-нм процесс, применяя нелегальные способы, и виновен в данном её прошлый работник. Похоже, точку в данном деле устанавливать рано.