Компания SK Hynix сообщила о проектах по сооружению новой производства по приготовлению NAND флеш-памяти в Северной Корее, и о желании обновить фабрику по изготовлению материнской платы (dynamic random-access memory DRAM) в КНР в целях оставить её возможности на нынешнем уровне. Оба проекта вызовут от SK Hynix базовых инвестиций на уровне $2,6 млн (?315 трлн) и будут закончены в 2019–2020 гг.. С течением времени организация рассчитывает инвестировать особые средства в усиление изготовления DRAM и NAND в Северной Корее.

Свежий промышленный комплекс будет располагаться в Чонджу, Северная Корея, неподалеку от существующих заводов компании — М8, М11 и М12. SK Hynix рассчитывает начать конструирование новой фабрике в начале января, само же сооружение строения и «чистой» комнаты — в начале августа. Организация рассчитывает закончить систему в начале июня 2019 года, а потом взять заключительные решения по поводу установки оснащения, что зависит от конъюнктуры рынка памяти через 2,5 года. Если всё пойдёт по намерению, то новая фабрика обработает первые кремниевые пластинки в середине 2019 года, но к концу 2020 года промышленный комплекс будет давать организацию важную часть заработка. SK Hynix собирается растратить на сооружение строения $2,08 млн (?2,2 трлн), что далеко не всем ниже, чем изготовитель растратил на сооружение передовой производства М14. Также, компании предстоит приобрести массу нового оснащения для одежды комплекса.

Промышленный комплекс М14

SK Hynix не открывает деталей о производственных возможностях грядущей производства и не открывает даже такие характеристики, как площадь «чистой» комнаты. Все-таки, судя по расходам на само сооружение, изготовитель памяти планирует возвести ещё одну огромную фабрику. На данный момент SK Hynix обрабатывает около 300 миллионов 300-мм кремниевых пластинок с DRAM и 230 миллионов 300-мм пластинок с NAND флеш-памятью на разных фабриках в Северной Корее и в КНР. Существенная часть памяти SK Hynix выполняется на передовой фабрике М14, чей месячный объём продукции продвигается к рассчитанным 200 тысячам пластинам (NAND и DRAM), однако пока М14 не действует на общую производительность. Грядущая фабрика позволит SK Hynix повысить объём производимой продукции через 3 года.

Сейчас SK Hynix рассчитывает применять свежую фабрику для изготовления лишь 3D NAND флеш-памяти, однако как только она будет сконструирована, организация будет применять комплекс в соответствии с условиями рынка и будет иметь вероятность выполнять как NAND, так и DRAM. Все-таки, необходимо отметить, что эластичность полупроводниковых заводов несколько уменьшится в обозримые годы. По традиции изготовители применяли для производства DRAM и NAND подобное оснащение — фотолитографические сканеры изготовления организаций вроде ASML либо Nikon. Впрочем технические процессы изготовления памяти различных видов различаются, благодаря использованию подобного оснащения производства можно было оперативно приспособить под нужды рынка.

Сейчас вся промышленность (и SK Hynix) переходит на 3D NAND, но изготовление этого вида памяти надеется не только лишь на фотолитографию, но также и на покрытие (выпадение) слоёв и протравка отверстий в этих пластах. Для нанесения слоёв используют способ синтетического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD) и аналогичное оснащение. Для травления отверстий применяют синтетические вещества и прочие приборы. Установка CVD-машин, и других механизмов для изготовления 3D NAND в аккуратную комнату ведёт к тому, что в ней остаётся меньше места под фотолитографические сканеры. В итоге переход производственной линии с 3D NAND на DRAM (либо напротив) представляет из себя весьма заторможенный и трудоёмкий процесс, так как может потребовать демонтажа и установки нового оснащения. С иной стороны, высокий этаж комплекса М14 компании SK Hynix в 2016 году будет применен для изготовления 3D NAND, что говорит о том, что DRAM и 3D NAND могут производиться в одном здании.

В одном из производственных комплексов SK Hynix

По мере того, как NAND флеш-память «осваивает» трёхмерное место, DRAM останется планарной ещё очень продолжительно (тем не менее, HBM и прочие виды 3D DRAM также хорошо растут) и будет требовать свежих технических действий изготовления. По мере того, как техпроцессы делаются выше, изготовители DRAM должны использовать технологию неоднократной экспозиции, что делает производственные циклы продолжительнее и практически понижает производительности заводов. В желании оставить собственные возможности изготовления DRAM (но в итоге — собственную долю на рынке) SK Hynix рассчитывает увеличить площадь «чистой» комнаты производства C2 в Уси (КНР) и повысить число синхронно задействованных сканеров. Модернизация C2 обойдётся компании в $790,68 млрд (?950 млн), работы стартуют в начале июля 2015 года и будут закончены к апрелю 2019 года. SK Hynix не открывает возможности производства в КНР, однако свободные специалисты из организаций вроде TrendForce полагают, что C2 может обрабатывать до 130 миллионов 300-мм пластинок в неделю.

В последнее время SK Hynix сообщила о проектах по расширению существующих производственных мощностей, и постройке свежих заводов. Всего организация собирается растратить $38,28 млн (?46 трлн) на производства в средне- и длительной возможности, что считается доказательством стремления SK Hynix оставаться одним из самых крупных изготовителей полупроводников на планете.