Организация HGST на событии Flash Memory Summit 2015 в Санта-Кларе (Калифорния, США) покажет современные накопители на базе памяти с изменяемым фазисным положением — Phase Change Memory, либо PCM.

Rick Gayle/Corbis

Механизм работы РСМ базируется на эксклюзивном действии халькогенида, который при нагреве может «перекидываться» между 2-мя состояниями: кристальным и рыхловатым. При изменении положения происходит перескакивание между закономерным нулём и единицей.

Принципиально обозначить, что память с изменяемым фазисным положением считается энергонезависимой, другими словами может держать информацию в неимении питания. Этим она идентична с флеш-памятью. Но сравнивая с заключительной добивается неоднократное повышение быстродействия, что форсирует РСМ к DRAM.

В 2016 г организация HGST показывала накопители PCIe SSD на базе РСМ-памяти. Такие устройства обеспечивают уровень IOPS (операций ввода/вывода за секунду) до 3 млрд при чтении данных блоками по 512 килобайт. Логично, свежие накопители HGST подымут высоту ещё выше.

Предполагается, что общее введение механизмов сохранения информации на основе памяти с изменяемым фазисным положением существенно понизит траты дата-центров на электрическую энергию, синхронно позволив поднять мощность.