81f720a5

«Самсунг» планирует представить 4-Тбайт SSD 850 Pro на CES 2017

Эпоха твердотельных накопителей с внешним видом SATA не спеша подходит к концу. Высокоскоростные возможности сегодняшних контроллеров и чипов флеш-памяти значительно опережают лимиты, утверждаемые внешним видом, но это 6 Гбит/с. Прохода на дисковые внешние виды с пропускной возможностью 12 Гбит/с в потребительском сегменте не ожидается, но в серверном такие скорости давно применяются, однако вместе со эталоном SAS, а не SATA. Будущее за NVMe, однако это не означает, что «старички» планируют выйти со сцены полностью.

Во всех вариантах прямолинейной пропускной возможности на уровне 6 Гбит/с не менее чем довольно, но на первые места выходят такие характеристики, как объём и мощность при совершении невольных операций записи и чтения. Да что там рассуждать, любой обладатель SSD докажет, что после установки почти любого передового накопителя с внешним видом SATA всё стало загружаться значительно стремительней, включая игры. Но передовые игры очень охочи до дискового места и в данном их аппетиты будут лишь увеличиваться. Лучшей модификаций, если не лучшей, в классе SATA SSD, очевидно, считается «Самсунг» 850 Pro. Так полагают очень многие энтузиасты.

Контроллер «Самсунг» MHX. Вероятнее всего, он будет установлен и в версии размером 4 Тбайт

Контроллер «Самсунг» MHX. Вероятнее всего, он будет установлен и в версии размером 4 Тбайт

Как продемонстрировали проведённые нами исследования, данная модель владеет отличной мощностью, но благодаря применению трёхмерной MLC — ещё и серьёзным резервом мощности, так серьёзным, что «Самсунг» даёт на эти накопители 10-летнюю гарантию. Однако ёмкости 2 Тбайт возможно окажется мало хардкорным игрокам, потому на выставке CES 2017 «Самсунг» рассчитывает представить свежую модель 850 Pro объёбог 4 Тбайт. Это будет первый накопитель потребительского класса с подобным объёбог на основе двухъячеечной памяти NAND. Модель 850 EVO с подобной ёмкостью на основе 3D TLC была показана раньше. Демонстрация CES 2017 пройдёт с 6 по 8 февраля 2015 года в Лас-Вегасе, штат Невада, США.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий